標準型感應耦合等離子體刻蝕機(ICP)

詳細描述

本設備具有選擇比好,刻蝕速度快、重復性好等特點,它較RIE具有更好的綜合刻蝕效果且應用范圍更廣??煽淌吹牟牧現饕蠵oly-Si、Si、SiO2、Si3N4、W、Mo、GaN、GaAs等。

本設備主要用于微電子、光電子、通訊、微機等領域的器件研發和制造。


產品主要性能指標 


型號

ICP-2B

真空系統

分子泵機組

刻蝕室數量

單室

刻蝕室規格

?300×280mm

電極尺寸

?200mm

刻蝕材料

Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、W、Mo、GaN、GaAs等。

刻蝕速率

~4 μ/min (與刻蝕材料和工藝有關)

刻蝕不均勻性

≤±5%

深硅刻蝕控制單元

可選

操作方式

手動

 

本產品具有三種功能:等離子體刻蝕(PE)、反應離子刻蝕(RIE)、感應耦合等離子體刻蝕(ICP)。其刻蝕原理不盡相同,既有純化學的,也有物理與化學相結合的模式。它既可以進行細線條(納米)加工,又可以進行體加工。
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