“刻蝕—淀積”組合機

產品主要性能指標

             

型號

CVE-2B

真空系統

分子泵機組

淀積室規格

?400×150mm

淀積室樣片臺尺寸

?290mm(熱均勻區?220mm)

淀積材料

SiO2、Si3N4、非晶硅、碳化硅、類金剛石等。

淀積速率

200 - 300 ?/min (與淀積材料和工藝有關)

淀積樣片臺加熱溫度

300℃

淀積不均勻性

≤ ±5%

刻蝕室規格

?300×100mm

刻蝕電極尺寸

?200mm

刻蝕材料

Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、W、Mo、GaN、GaAs等。

刻蝕速率

0.1 – 1 μ/min (與刻蝕材料和工藝有關)

刻蝕不均勻性

≤±5%


“刻蝕–濺射”組合機(JR-2B)、“刻蝕–淀積”組合機(CVE-2B)、“刻蝕–淀積”組合機(ICV-500)和“濺射–淀積”組合機(JCV-2B)都是根據用戶要求需設計的,就其功能和性能指標而言與濺射臺、淀積臺、刻蝕機都是相同的,其主要特點是省去了一套電源系統和真空獲得系統,從而以相對優惠的價格滿足不同用戶的要求.

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