全自動型反應離子刻蝕機RIE-802

詳細描述

本設備采用PLC控制,觸摸顯示屏操作。其數字化參數界面和自動化操作方式為用戶提供了優良的研發和生產平臺。

本設備通過對真空系統、下游壓力閉環控制、射頻電源、氣體流量及工藝過程的自動控制,以及所具有的安全互鎖、智能監控、在線狀態記憶、斷點?;さ裙δ?。從而獲得較高的刻蝕速率,并能精確地控制圖形的剖面。使設備的安全性、重復性、穩定性、可靠性得到有效保證。 

本設備主要用于微電子、光電子、通訊、微機械等領域的器件研發和制造。


產品主要性能指標


型號

RIE-802

真空系統

分子泵機組

刻蝕室數量

雙室

刻蝕室規格

?400×100mm

電極尺寸

?270mm

刻蝕材料

Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、W、Mo、GaN、GaAs等。

刻蝕速率

0.1 – 1 μ/min (與刻蝕材料和工藝有關)

刻蝕不均勻性

≤±5%

自動化程度

真空系統、下游壓力閉環控制、射頻電源、氣體流量、工藝過程全自動控制。

人機界面

Windows環境、觸摸屏操作

操作方式

全自動方式、非全自動方式

自動化裝置的選配

可選擇進口件或國產件

本設備通過物理與化學相結合的方法,對很細的線條(亞微米以下)進行刻蝕以形成精細的圖形。 本設備具有選擇比較好、刻蝕速度較快、重復性好、性價比較高等特點??煽淌吹牟牧現饕蠵oly-Si、Si、SiO2、Si3N4、W、Mo、GaN、GaAs等。
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