(帶Load_Lock裝置)全自動型感應耦合等離子體刻蝕機ICP-8000

    本設備采用PLC控制,觸摸顯示屏操作。其數字化參數界面和自動化操作方式為用戶提供了優良的研發和生產平臺。

設備通過對真空系統、下游壓力閉環控制、射頻電源、氣體流量及工藝過程的自動控制,以及所具有的安全互鎖、智能監控、在線狀態記憶、斷點?;さ裙δ?。從而獲得較高的刻蝕速率,并能精確地控制圖形的剖面。使設備的安全性、重復性、穩定性、可靠性得到有效保證。 

本設備主要用于微電子、光電子、通訊、微機械等領域的器件研發和制造。

 

產品主要性能指標

型號

ICP-2B

ICP-500

ICP-5100

真空系統

分子泵機組

進樣室:機械泵系統;刻蝕室:分子泵機組

刻蝕室數量

單室

刻蝕室規格

?300×280mm

電極尺寸

?200mm

刻蝕材料

Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、W、Mo、GaN、GaAs

刻蝕速率

0.1 – 1 μ/min (與刻蝕材料和工藝有關)

刻蝕不均勻性

≤±5%

深硅刻蝕控制單元

可選

 

自動化程度

 

真空系統、下游壓力閉環控制、射頻電源、氣體流量、工藝過程全自動控制。

真空系統、機械手送/取樣片、下游壓力閉環控制、射頻電源、氣體流量、工藝過程全自動控制。

人機界面

 

Windows環境、觸摸屏操作

操作方式

手動

全自動方式、非全自動方式

配套件選配

 

可選擇進口件或國產件

本設備具有三種功能:等離子體刻蝕(PE)、反應離子刻蝕(RIE)、感應耦合等離子體刻蝕(ICP)。其刻蝕原理不盡相同,既有純化學的,也有物理與化學相結合的模式。它既可以進行細線條(納米)加工,又可以進行體加工(深刻蝕)。本設備具有選擇比好,刻蝕速度快、重復性好等特點,它較RIE具有更好的綜合刻蝕效果且應用范圍更廣??煽淌吹牟牧現饕蠵oly-Si、Si、SiO2、Si3N4、W、Mo、GaN、GaAs等。
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